Opis
IGBT tranzistor; Maksimalni napon izme?u kolektora i emitora (VCEO): 1200V; Neprekidna struja kolektora (25?C, 100?C): 180A, 24A; Radna temperatura: -55? do 150?C; Ku?i?te: TO-247AC;
1.203.60 рсд
IGBT tranzistor; Maksimalni napon izme?u kolektora i emitora (VCEO): 1200V; Neprekidna struja kolektora (25?C, 100?C): 180A, 24A; Radna temperatura: -55? do 150?C; Ku?i?te: TO-247AC;
