Opis
IGBT modul; Maksimalni napon izme?u kolektora i emitera (Vceo): 1200V; Napon zasi?enja izme?u kolektora i emitera: 2.1V; Kontinualna kolektorska ja?ina struje: 150A; Struja curenja izme?u gejta i emitera: 0.5?A; Maksimalni napon izme?u gejta i emitera: 20V; Snaga: 960W; Radna temperatura: -40? do +150?C; Na?in monta?e: pomo?u vijaka;
